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台积电14nm有新进展

时间：2023-12-29 08:39:34   作者: 隧道照明方案

  攸关台积电2纳米以下先进制程布局的中科台中园区扩建二期都市方案改变案，内政部都市方案委员会昨日抉择经过。台积电现在没有对这块地是否由原规划的2纳米用地，改变为更先进的1.4纳米运用，台积电供应链估测，以现在台积电将宝山及高雄打开2纳米建厂作业，意料中科二期扩建将会把1.4纳米制程列入未来建厂优先方案。

  不过，据了解，台积电仍未抛弃在北部树立1.4纳米出产基地的公共场所。中科办理局表明，后续将请台中市政府帮忙尽速处理公告施行，以利接续发动用地获得作业，估计下一年六月底供给土地给厂商建厂，以应工业高质量开展需求。

  因为中科二期扩建从前已获台中市都市方案委员会经过改变案，内政部昨日审议经过，契合台积电内部预期，因而公司除了感谢相关单位帮忙外，不对此案后续规划做任何回应。

  中科台中园区扩建二期紧邻台中园区西侧，面积八十九点七五公顷。依据台积电开端向中科办理局提出的中科扩展方案用地请求，台积电期望中科二期扩展方案作为2纳米的备援用地，后来台中市政府审定将面积缩小，顶多只要兴修两座2纳米旗舰厂。

  相较台积电以内部编定为Fab20的宝山厂为2纳米出产重镇，后来也将高雄厂改变切入2纳米，构成南北都有2纳米出产据点，一般意料在台积电宣告抛弃原方案作为1.4纳米出产据点的桃园龙潭科学园区三期扩展方案后，或许先将中科二期扩展用地，作为1.4纳米的优先用地规划，但台积电仍会视各县市争夺的情绪以及提出方配套方案，再挑一处1.4纳米，乃至是更先进的一纳米用地。

  现在包含高雄、台南、嘉义、云林和台中等县市，都表态欢迎台积电前去建立先进制程晶圆厂，意料台积电应会评选其他用地规划后，再做最终确定。中科办理局局长王永壮稍早释出台积电宝山厂将于下一年四月开端装机，第二厂也同步赶紧建厂作业，以利2纳米能按期在2025年量产。

  可靠消息的人悄悄表明，台积电高雄厂则规划切入2纳米强化版（Ｎ２Ｐ）制程，预订2026年量产；以此刻程推估，台积电的1.4纳米推出时刻将落在2027到2028年，中科二期扩展方案，可让台积电在决议未来先导入2纳米或直接切入1.4纳米，有了更大的弹性及和各县市谈条件的空间。

  据tomshardware报道，台积电在 IEEE 世界电子器件会议 (IEDM) 的未来逻辑小组上泄漏，台积电 1.4 纳米级制作技能的开发正在顺顺利利地进行 。台积电还再次侧重，运用其 2 纳米级制作工艺的量产有望在 2025 年完成。

  依据 SemiAnalysis 的Dylan Patel发布的幻灯片，台积电的 1.4 纳米出产节点正式称为 A14 。现在，台积电没有泄漏方案何时开端 A14 及其标准的量产（HVM），但鉴于 N2 方案于 2025 年底、N2P 方案于 2026 年底，因而有理由猜想 A14 会在此之后推出。也便是介乎2027到2028年之间。

  在功用方面，A14不太或许选用笔直堆叠互补场效应晶体管（CFET），虽然台积电正在探究该技能。因而，A14 或许会依靠该公司的第二代或第三代环栅 FET (GAAFET)——就像 N2 节点相同。

  N2 和 A14 等节点将需求体系级协同优化才干真实发挥作用，并完成新水平的功用、功耗和功用。

  仍有待调查的是台积电是否方案在 2027 年至 2028 年期间为其 A14 工艺技能选用高数值孔径 EUV 光刻东西。鉴于到那时英特尔（或许还有其他芯片制作商）将选用并完善数值孔径为 0.55 的下一代 EUV光刻机芯片合同制作商应该适当简单运用它们。可是，因为高数值孔径 EUV 光刻东西将掩模版尺度折半，其运用将为芯片规划者和芯片制作商带来一些额定的应战。

  当然，从现在到 2027 - 2028 年，状况或许会产生显着的改变，因而咱们不能做出太多假定。但很显着，台积电的科学家和研制人员正在研讨下一代出产节点。

  跟着半导体工艺深化到5nm以下，制作的难度和本钱日益出人意料。摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就会面对严峻的量子隧穿难题，这将导致晶体管失效。各大厂商在实践尺度上选用的先进工艺仍有必定的地步，纸面上的1nm工艺仍或许存在。

  台积电上一年成立了一个团队来研制1.4nm工艺，CEO刘德音表明公司正在探究比1.4nm更先进的工艺。1.4nm工艺是半导体职业寻求的方针之一，但将会面对很大的应战。

  依据IMEC欧洲微电子中心的道路工艺，也便是1nm，估计在2028年面世。

  可是，实践量产时刻或许会拖延。在2nm节点之后，EUV光刻机有必要进行大规模晋级，ASML估计在2026年推出下一代EXE:5000系列，选用High NA技能进步光刻分辨率。但下一代EUV光刻机的济济一堂将从1.5亿美元上涨到4亿美元以上，乃至或许会进一步出人意料，这对制作商的本钱控制能力提出了很大的检测。

  文章出处：【微信号：TenOne_TSMC，微信大众号：芯片半导体】欢迎出人意料重视！文章转载请注明出处。

  .rar[/hide] [此贴子白搭被作者于2009-10-22 11:52:24修改过]

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  和英特尔代工服务，也对按方案在2025年出产2纳米芯片充满信心。闻名电子媒体EDN报道，三星许诺量产

  SemiAnalysis自媒体Dylan Patel曝光的幻灯片显现，

  制程的正式名称为A14。到现在，关于该节点的详细量产日期及参数暂未公开。可是，依据其与N2及N2

  制程技能，媒体估计其名称为A14。从技能视点来看，A14节点或许不会运用笔直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技能。

  在近来举行的 IEEE 世界电子器件会议（IEDM）的小组研讨会上泄漏，其

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